太刀招式整理
太刀基本已经有很多说明了,这里只是帮忙整理一下招式。
太刀有2个额外能量,一个是气刃槽能量,一个是开刃的刃色。
普通的攻击能涨能量,而R2的气刃斩会消耗能量。气刃槽满了以后就无法再增长了,如果气刃槽没有能量,就无法使用R2的气刃斩。
而开刃的话,太刀有3种刃色,依次为白色,橙色,红色。这个颜色会提升攻击的攻击力。当进入一个等级时,进度条是满的,随着时间慢慢消耗,当消耗完就降低一个等级。提升等级的话就需要用气刃斩的最后一击气刃大回旋命中敌人,能开刃,如果到了红色刃,则只能让刃条满,不会增长。而看破斩使用会让剑刃下降一个等级,到上一个等级的全满状态。
太刀招式比较多,有比较多的按键方式,他们之间基本都可以互相接。
△:普通攻击,有三段连招,其他技能衍生过来时不一定是第一招
O:突刺,朝前刺一下,速度快
R2:气刃斩四连击,其他招式衍生过来时不一定是第一招,使用消耗气刃槽,最后一下命中敌人可以开刃。
△+O:纵斩/左右移动斩配合遥感可以有一个移动
R2+O:看破斩,属于高级技巧并且必须接在其他招式后面,朝后退一步然后踏步砍一刀。特殊条件下可以直接接气刃斩的最后一击
R2+△:气刃突刺,属于高伤害大招,跳起来向下划一刀,造成多次伤害,之后无法接其他通用招式了。
△连招:
踏步斩-直斩-突刺-上捞斩-直斩-突刺-上捞斩……
△连招时,都可以那些其他方式按出来的招式。
比较特殊的是突刺属于平时按O时就能使出,只是直斩之后按△也能使出这招。
而上捞斩后面无法接气刃突刺(R2+△)
踏步斩:直接△或者收刀时L+△。一般是起手使用,在看破斩后面接△也可以使出
直斩:接在踏步斩,上捞斩后面,或者踏步(X)后△
直斩后无论△还是O都是接突刺
R2:
气刃斩I-气刃斩II-气刃斩III-气刃大回旋斩
气刃踏步斩也包含在这里,属于特殊招式衍生
气刃斩需要消耗气刃值才能使出,气刃值不足时就无法使用了。当使用了气刃大回旋后可以开一次刃。
气刃斩I:基本招式,可以直接使出,其他连招后R2基本也是接它
它也能接其他的基本招式,只是特殊在于△和O都是接突刺
气刃斩II:基本招式,接在气刃斩I后面
它也能接其他招式,特殊在于△和O后都是接上捞斩
气刃踏步斩:比较特殊,只能由纵斩/左右移动斩后面接R2衍生出来
和气刃斩II一样的接后招,因此如果它来接开刃可以直接3连击开刃
气刃斩III:接在气刃斩II/气刃踏步斩后面,无法通过其他招式衍生出来
它后面比较特殊无法接△或者O的普通攻击
气刃大回旋斩:接在气刃斩III后面,或者是成功使用的看破斩后。使用后会把刀收起来,所以无法接其他技能。
成功命中敌人后,会开一次刃并消耗掉所有气刃槽
纵斩/左右移动斩:(L+)△+O,如果推动遥感就可以移动斩,属于一个很好的调整位置的招式。
它后面△或者O都是接突刺,而R2是接气刃踏步斩可以只要3连击就可以开刃
看破斩:R2+O,朝后退一步,然后朝前横砍一刀。会清空气刃槽
看破斩比较特殊,后退的时候有一小段无敌时间,如果此时闪避掉了敌人本该命中你的攻击,会听到叮的一声,如果攻击同时又命中了敌人,则可以让气刃槽全满
它后面可以接各种招式,特殊的是△是接踏步斩,R2直接接气刃大回旋,只是如果没有叮并且命中敌人,气刃槽是空的无法使出。
气刃突刺:R2+△,属于一个大招,突刺敌人,如果刺中,就会跳起后在空中砍一刀,造成多次伤害(气刃兜割)。(只有刃有颜色时才能使用,否则只会刺一下,不会跳起)这个技能在空中可以调整方向,但是命中还是有一定难度,需要多练习。跳起有一个向前的位移,如果不调整很容易就过了。这个技能会消耗一层剑刃,而且只有最高级红刃时伤害才比较可观。
气刃突刺基本可以接在其他技能后面,无法再接其他技能。
跳跃上捞斩:滑行时△,跳起上捞并让角色到空中
跳跃斩:空中△,无法接后招
跳跃气刃斩/跳跃气刃斩二连斩/跳跃气刃斩三连斩:根据气刃颜色,白色黄色二连斩,红色三连斩,无法接后招
空中拔刀气刃斩:斜坡滑行时R2
可以落地接气刃大回旋
太刀比较普通就是△攒气刃,然后R2开刃。可以直接R2的4连击,也可以接在左右移动斩后面,这样只需要进行三连击,就可以开刃,等剑刃到红色,就使用气刃突刺
还有就是碰瓷流,用突刺-上捞斩的短循环技能循环等怪物攻击,攻击时就看破斩-气刃大回旋斩直接开刃。看破斩只会回退那一下是无敌,上步砍的时候没有无敌,向角龙那种有两下攻击的,躲过了第一下,还是会被第二下打中。
虽然看破斩强化了,但是像我这样手残的,最好还是老老实实三连击开刃吧。
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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